碳管射频产品采用以半导体碳管为沟道的P型FET作为射频元器件（Vdd < 1.5V）

1. 基于网状薄膜碳管射频晶体管

    直流参数：Ion/W ~ (0.2~0.61)mA/um; gm ~ (0.2~0.52)mS/um;

    交流参数：fT~(40~58GHz, 140~206GHz, 200~373GHz),

                 fMax~(50~90GHz, 90~123GHz, 140~257GHz)

    基底可调：高阻硅片/石英/蓝宝石

         价格：150美元/晶体管或者1000元/晶体管，10个晶体管起售；

2. 基于平行阵列的碳管射频晶体管

    直流参数：Ion/W ~ (1~1.88)mA/um; gm ~ (0.75~1.4)mS/um;

    交流参数：fT~(100~186GHz, 180~345GHz, 300~540GHz),

                 fMax~(90~158GHz, 130~192GHz, 180~306GHz)

    基底可调：高阻硅片/石英/蓝宝石

         价格：300美元/晶体管或者2000元/晶体管，10个晶体管起售；

3. 根据用户要求开发低噪声放大器、功率放大器等，价格面议

      频段：18GHz（X band）           增益：23dB

      线性度：OIP3>30dBm               线性度效率：20dB