5纳米碳纳米管CMOS器件研制成功

北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究，发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法，通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing, SS）均为70 mV/DEC。
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碳基团队于《科学》上发表狄拉克源晶体管结果

北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇-彭练矛课题组重新审视了MOS晶体管亚阈值摆幅的物理极限，提出了一种新的超低功耗晶体管：狄拉克源晶体管（Dirac source-FET, DS FET）。
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我国科学家在碳基射频器件领域取得突破成果登上《自然·电子学》封面

近日，北京大学电子学系、碳基集成电路研究院张志勇-彭练矛团队制备了适合射频应用的半导体阵列碳纳米管材料，并在此基础上首次将碳纳米管射频器件的频率上限提升至太赫兹领域，真正展示了碳纳米管器件的高速高带宽和增益线性度优势。该研究成果于6月21日在国际著名学术期刊《自然·电子学》以封面论文形式发表。
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学术报告

彭练矛-张志勇课题组在碳纳米管集成电路在超强抗辐照领域的应用方面取得重要进展
2020-08-25 10:08:56 自然科学奖-基于碳基纳米材料的电子器件项目简介
2020-02-08 16:52:39 彭练矛-张志勇课题组在《自然.电子学》上发表千兆赫兹碳纳米管集成电路
2020-02-08 16:30:39 碳基电子学成果介绍
2020-02-08 15:53:45

发展动态

中国科学家研发出孪生物理不可克隆功能技术可望催生最安全的信息防护技术
2022-07-12 17:35:38 要“马儿”跑得快又要“马儿”少吃“草”？中国科学家在碳基领域做到了
2021-08-29 18:51:09 国家重点研发计划纳米科技专项“碳基纳米电子器件与集成”项目完成课题综合绩效评价
2021-08-28 19:53:17 长株潭未来可期新时代推动中部地区高质量发展的意见来了
2021-07-30 15:13:24

新闻聚焦

新京报特刊：我院院长彭练矛受访，谈碳基芯片研发
2022-09-22 15:25:50 声明函
2021-12-06 09:07:15 我院主持的“90纳米碳基集成电路关键工艺研究”课题通过验收
2021-11-07 19:26:04 交出亮眼成绩单北大碳基芯片技术入选国家“十三五”科技创新成就展
2021-10-21 23:27:54

研究院简介

研究院为北京市和北京大学共建的面向后摩尔时代集成电路技术的新型研发机构。研究院发展了完整的碳基集成电路技术，实现了性能接近量子极限的碳基晶体管、三维光电集成系统，有望将集成电路技术推进到3纳米节点以下，实现速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成电路芯片，推动未来信息技术的发展。

研究方向

碳基材料

碳基础材料的研究围绕uction of General Integrated Circuits on Individual Carbon Nanotub。

先进工艺

半导体碳纳米管具有超高的载流子迁移率和极小的直径，是构建亚10 nm场效应晶体管和集成电路的理想沟道材。

碳基集成电路

北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛-张志勇团队的。

集成电路设计

半导体碳纳米管具有超高的载流子迁移率和极小的直径，是构建亚10 nm场效应晶体管和集成电路的理想沟道材料。

碳基芯片产品

半导体碳纳米管具有超高的载流子迁移率和极小的直径，是构建亚10 nm场效应晶体管和集成电路的理想沟道材料。

合作伙伴